山东大学:碳化硅“黑白条纹”缺陷的成因揭秘与消除策略
一、 研究背景4H-碳化硅(4H-SiC)作为下一代功率电子器件的核心材料,其应用前景广阔。然而,其性能的发挥和可靠性,在很大程度上受制于单晶衬
查看全文
加载中...

收藏
行业交流
收藏
工业机器人
收藏
行业交流
收藏
行业交流
收藏
行业交流
收藏
行业资讯
收藏
行业交流
收藏
行业资讯
收藏
行业资讯收藏
行业交流苏ICP备2021030733号

32011402011102
智造者(南京)创新科技有限公司 版权所有
联系电话:400-816-5816
联系地址:南京市江宁区谷里街道孝义路西塘80-1号A栋
投诉渠道:service@zhizaozhe.com